兆驰半导体三项 Micro LED 专利迈向授权，点亮显示技术新征程

在全球显示技术加速迭代的浪潮中，Micro LED 以其高亮度、低功耗、长寿命等优势，成为行业角逐的焦点。作为 Micro LED 赛道的核心玩家，兆驰半导体凭借持续的技术深耕，于近期迎来专利成果的集中爆发 —— 三项关键专利同步进入授权阶段，这一突破不仅为企业自身发展注入强劲动力，更为整个 Micro LED 产业的技术升级提供了全新思路。​
在 4 月 1 日踏入有效授权进程的 “Micro LED 外延片及其制备方法、Micro LED 芯片” 专利，聚焦于光电技术领域的关键环节。该专利创新性地构建了特殊的外延片结构，在衬底之上有序堆叠缓冲层、N 型 GaN 层、多量子阱层与 P 型 GaN 层。其中，多量子阱层被精心设计为三个部分：第一多量子阱层由第一 InGaN 量子阱层、第一 AlGaN/GaN 超晶格层和第一 GaN 量子垒层交替层叠而成；第二多量子阱层以第二 InGaN 量子阱层、第二 AlGaN/GaN 超晶格层和第二 GaN 量子垒层为基础单元循环构建；第三多量子阱层则由第三 InGaN 量子阱层、空穴注入层与第三 GaN 量子垒层组合而成。这种独特的设计有效提升了 Micro LED 芯片在低工作电流密度下的光效，为实现节能高效的显示应用开辟了新路径。​
早在 3 月 18 日，兆驰半导体的另外两项专利 ——“Micro-LED 外延片及其制备方法、Micro-LED” 与 “高光效 Micro-LED 外延片及其制备方法、Micro-LED” 也已步入授权快车道，二者均致力于发光效率的突破。前者通过对外延片结构的精密调控，在衬底之上设置 N 型 GaN 层、第一多量子阱层与 P 型 GaN 层，其中第一多量子阱层的量子阱层与第一量子垒层交替层叠，且各子层材料成分及比例经过精确设计，如第一 InGaN 层中 In 组分占比的递增变化与第一 AlGaN 层中 Al 组分的递减趋势，均是为优化发光性能量身定制。后者则打造出更为复杂精妙的结构，从衬底开始，依次排布缓冲层、非掺杂 GaN 层、N 型 GaN 层、多量子阱层、空穴扩展层、空穴存储层与空穴层。值得一提的是，三层功能性结构均采用周期性设计，空穴扩展层由 BN 层和 Mg 轻掺 GaN 层交替组成，空穴存储层由 GaN 层、InGaN 层和 Mg 掺 AlGaN 层循环构成，空穴层则由 P 型 BInGaN 层、Mg3N2 层和 P 型 GaN 层周期性排列，这种精密布局大幅提升了外延片的发光效率。​
这三项专利的突破，是兆驰半导体长期技术积累与创新探索的缩影。凭借对 Micro LED 核心技术的深刻理解与持续投入，企业不仅在技术研发上建立起竞争壁垒，更通过专利布局为行业发展提供了新的技术范本。随着这些专利的逐步落地，兆驰半导体有望在未来显示技术变革中扮演更为重要的角色，推动 Micro LED 技术从实验室走向更广泛的应用场景，为行业带来更多颠覆性的创新成果。